Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2990UFA-7B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1505985DMN2990UFA-7B piltDiodes Incorporated

DMN2990UFA-7B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.14
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2990UFA-7B
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 0.51A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2990UFA-7B.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-X2-DFN0806
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990 mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    400mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-XFDFN
  • Muud nimed
    DMN2990UFA-7BDITR
    DMN2990UFA7B
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    27.6pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 510mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 3-X2-DFN0806
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    510mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2990UFA-7B" seotud tooted.
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.