Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3024LSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7026992DMN3024LSS-13 piltDiodes Incorporated

DMN3024LSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.257
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3024LSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3024LSS-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.6W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    1034-DMN3024LSS-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 6.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3024LSS-13" seotud tooted.
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.