Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3024LK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
114792DMN3024LK3-13 piltDiodes Incorporated

DMN3024LK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3024LK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMN3024LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.17W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMN3024LK3-13DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 9.78A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.78A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3024LK3-13" seotud tooted.
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.