Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3029LFG-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1521134DMN3029LFG-7 piltDiodes Incorporated

DMN3029LFG-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.216
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3029LFG-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMN3029LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    DMN3029LFG-7DITR
    DMN3029LFG7
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    580pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3029LFG-7" seotud tooted.
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.