Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN3032LFDBQ-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
326297DMN3032LFDBQ-7 piltDiodes Incorporated

DMN3032LFDBQ-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3032LFDBQ-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3032LFDBQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Võimsus - maks
    1W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    DMN3032LFDBQ-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.2A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3032LFDBQ-7" seotud tooted.
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.