Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN33D8LDW-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1935697DMN33D8LDW-13 piltDiodes Incorporated

DMN33D8LDW-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.067
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN33D8LDW-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN33D8LDW-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Võimsus - maks
    350mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.23nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    250mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN33D8LDW-13" seotud tooted.
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.