Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3730UFB-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2070644DMN3730UFB-7 piltDiodes Incorporated

DMN3730UFB-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.178
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3730UFB-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3730UFB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-DFN
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    470mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-UFDFN
  • Muud nimed
    DMN3730UFB-7TR
    DMN3730UFB7
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    64.3pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.6nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-DFN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3730UFB-7" seotud tooted.
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.