Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN4020LFDE-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1954913DMN4020LFDE-13 piltDiodes Incorporated

DMN4020LFDE-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.182
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN4020LFDE-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN4020LFDE-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    660mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    DMN4020LFDE-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1060pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.1nC @ 20V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 8A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN4020LFDE-13" seotud tooted.
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4026SSDQ-13

DMN4026SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4025LSD-13

DMN4025LSD-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.