Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN4468LSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3873885DMN4468LSS-13 piltDiodes Incorporated

DMN4468LSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.169
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN4468LSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN4468LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.95V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.52W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMN4468LSS-13DI
    DMN4468LSS-13DI-ND
    DMN4468LSS-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.52W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN4468LSS-13" seotud tooted.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.