Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN53D0LDW-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2714716DMN53D0LDW-13 piltDiodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.056
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN53D0LDW-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN53D0LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Võimsus - maks
    310mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    DMN53D0LDW-13DI
    DMN53D0LDW-13DI-ND
    DMN53D0LDW-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    360mA

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN53D0LDW-13" seotud tooted.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.