Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN60H080DS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4425291DMN60H080DS-13 piltDiodes Incorporated

DMN60H080DS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.081
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN60H080DS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN60H080DS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 Ohm @ 60mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80mA (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN60H080DS-13" seotud tooted.
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.