Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN61D8L-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4002285DMN61D8L-7 piltDiodes Incorporated

DMN61D8L-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.67
10+
$0.526
100+
$0.361
500+
$0.247
1000+
$0.185
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN61D8L-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN61D8L-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    390mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    DMN61D8L-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    3V, 5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    470mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN61D8L-7" seotud tooted.
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.