Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN62D0LFD-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1600004DMN62D0LFD-7 piltDiodes Incorporated

DMN62D0LFD-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.06
6000+
$0.053
15000+
$0.045
30000+
$0.042
75000+
$0.039
150000+
$0.034
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN62D0LFD-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN62D0LFD-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    X1-DFN1212-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Voolukatkestus (max)
    480mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-UDFN
  • Muud nimed
    DMN62D0LFD-7DITR
    DMN62D0LFD-7TR
    DMN62D0LFD-7TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    31pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    500nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    310mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN62D0LFD-7" seotud tooted.
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.