Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN61D9U-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1386916DMN61D9U-7 piltDiodes Incorporated

DMN61D9U-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.071
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN61D9U-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 0.38A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN61D9U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    370mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    DMN61D9U-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    380mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN61D9U-7" seotud tooted.
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.