Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN63D8LDW-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
851302DMN63D8LDW-7 piltDiodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.059
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN63D8LDW-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN63D8LDW-7.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Võimsus - maks
    300mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    DMN63D8LDW-7TR
    DMN63D8LDW7
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    870nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    220mA
  • Baasosa number
    DMN63D8L

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN63D8LDW-7" seotud tooted.
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.