Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN65D8LFB-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
242702DMN65D8LFB-7 piltDiodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.062
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN65D8LFB-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN65D8LFB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    X1-DFN1006-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    430mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-UFDFN
  • Muud nimed
    DMN65D8LFB-7-ND
    DMN65D8LFB-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    260mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN65D8LFB-7" seotud tooted.
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.