Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT10H015LFG-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5095419DMT10H015LFG-7 piltDiodes Incorporated

DMT10H015LFG-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.483
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT10H015LFG-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 10A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMT10H015LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta), 35W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    DMT10H015LFG-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 42A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT10H015LFG-7" seotud tooted.
DMT1D33K

DMT1D33K

Kirjeldus: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Kirjeldus: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Tootjad: Amprobe
Laos
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Kirjeldus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 10A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Kirjeldus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V SO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Kirjeldus: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.