Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT10H015LSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2125219DMT10H015LSS-13 piltDiodes Incorporated

DMT10H015LSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.28
10+
$1.131
100+
$0.894
500+
$0.693
1000+
$0.547
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT10H015LSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMT10H015LSS-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.2W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMT10H015LSS-13DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT10H015LSS-13" seotud tooted.
DMT1D68K-F

DMT1D68K-F

Kirjeldus: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Kirjeldus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Kirjeldus: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 10A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D68K

DMT1D68K

Kirjeldus: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 10A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V SO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Kirjeldus: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Kirjeldus: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Kirjeldus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.