Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT3009LFVW-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4731605DMT3009LFVW-7 piltDiodes Incorporated

DMT3009LFVW-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.253
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT3009LFVW-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMT3009LFVW-7.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.3W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    823pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    3.8V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 50A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT3009LFVW-7" seotud tooted.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.