Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMT3020LFDB-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
358894DMT3020LFDB-7 piltDiodes Incorporated

DMT3020LFDB-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.77
10+
$0.651
100+
$0.488
500+
$0.358
1000+
$0.277
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT3020LFDB-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMT3020LFDB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 9A, 10V
  • Võimsus - maks
    700mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    DMT3020LFDB-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    393pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.7A 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.7A

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT3020LFDB-7" seotud tooted.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Kirjeldus: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.