Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT6007LFG-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
957140DMT6007LFG-13 piltDiodes Incorporated

DMT6007LFG-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.524
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT6007LFG-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMT6007LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2090pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 15A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta), 80A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT6007LFG-13" seotud tooted.
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.