Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT6009LPS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4562430DMT6009LPS-13 piltDiodes Incorporated

DMT6009LPS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.483
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT6009LPS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMT6009LPS-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI5060-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.3W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    DMT6009LPS-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10.6A (Ta), 87A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.6A (Ta), 87A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT6009LPS-13" seotud tooted.
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.