Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMT6018LDR-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6602050

DMT6018LDR-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.255
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT6018LDR-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    V-DFN3030-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.9W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    869pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 11.4A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT6018LDR-7" seotud tooted.
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Kirjeldus: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Kirjeldus: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.