Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT69M8LPS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
412208DMT69M8LPS-13 piltDiodes Incorporated

DMT69M8LPS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.514
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT69M8LPS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMT69M8LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI5060-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.3W (Ta), 113W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    DMT69M8LPS-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10.2A (Ta), 70A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.2A (Ta), 70A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT69M8LPS-13" seotud tooted.
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Kirjeldus: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Kirjeldus: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.