Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT8012LK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1895669DMT8012LK3-13 piltDiodes Incorporated

DMT8012LK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.419
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT8012LK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMT8012LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.7W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMT8012LK3-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT8012LK3-13" seotud tooted.
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Kirjeldus: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Kirjeldus: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Kirjeldus: MOSFET 100V 108A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Kirjeldus: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.