Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMTH6004SCTBQ-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
418004DMTH6004SCTBQ-13 piltDiodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.49
10+
$3.151
100+
$2.532
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMTH6004SCTBQ-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 100A TO263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMTH6004SCTBQ-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    4.7W (Ta), 136W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    DMTH6004SCTBQ-13DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMTH6004SCTBQ-13" seotud tooted.
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Kirjeldus: MOSFET 60V 100A TO220-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Kirjeldus: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Kirjeldus: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Kirjeldus: MOSFET 60V 90A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.