Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMTH6004SK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1686648DMTH6004SK3-13 piltDiodes Incorporated

DMTH6004SK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.49
10+
$1.322
100+
$1.045
500+
$0.81
1000+
$0.64
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMTH6004SK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMTH6004SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252, (D-Pak)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 90A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.9W (Ta), 180W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMTH6004SK3-13DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 100A (Tc) 3.9W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMTH6004SK3-13" seotud tooted.
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Kirjeldus: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Kirjeldus: MOSFET 60V 90A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Kirjeldus: MOSFET 60V 100A TO220-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.