Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMTH6010SCT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2247113

DMTH6010SCT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.81
50+
$1.449
100+
$1.268
500+
$0.983
1000+
$0.776
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMTH6010SCT
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMTH6010SCT.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.8W (Ta), 125W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    DMTH6010SCTDI-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMTH6010SCT" seotud tooted.
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.