Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN3B01FTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
887244ZXMN3B01FTA piltDiodes Incorporated

ZXMN3B01FTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.205
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN3B01FTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN3B01FTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    625mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    ZXMN3B01FTA-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    258pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.93nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN3B01FTA" seotud tooted.
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.