Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN3A14FTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4025643ZXMN3A14FTA piltDiodes Incorporated

ZXMN3A14FTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.71
10+
$0.622
100+
$0.48
500+
$0.355
1000+
$0.284
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN3A14FTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN3A14FTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    ZXMN3A14FCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    448pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN3A14FTA" seotud tooted.
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.