Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN6A07ZTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
528938ZXMN6A07ZTA piltDiodes Incorporated

ZXMN6A07ZTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.283
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN6A07ZTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    ZXMN6A07ZTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-89-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-243AA
  • Muud nimed
    ZXMN6A07ZTR
  • Töötemperatuur
    -
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN6A07ZTA" seotud tooted.
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Kirjeldus: MOSFETN-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.