Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN6A09GTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2482851ZXMN6A09GTA piltDiodes Incorporated

ZXMN6A09GTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.595
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN6A09GTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    ZXMN6A09GTA.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-223
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-261-4, TO-261AA
  • Muud nimed
    ZXMN6A09GTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN6A09GTA" seotud tooted.
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Kirjeldus: MOSFETN-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.