Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN6A25GTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5770917ZXMN6A25GTA piltDiodes Incorporated

ZXMN6A25GTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.518
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN6A25GTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V SOT223
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    ZXMN6A25GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-223
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-261-4, TO-261AA
  • Muud nimed
    ZXMN6A25GTATR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1063pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN6A25GTA" seotud tooted.
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.