Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN6A09KTC
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2527414ZXMN6A09KTC piltDiodes Incorporated

ZXMN6A09KTC

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN6A09KTC
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN6A09KTC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 7.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.15W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    ZXMN6A09KTCDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1426pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 7.7A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN6A09KTC" seotud tooted.
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Kirjeldus: MOSFETN-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60VSOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.