Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2010CENGR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4052897EPC2010CENGR piltEPC

EPC2010CENGR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$5.915
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2010CENGR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - test
    380pF @ 100V
  • Pinge - jaotus
    Die Outline (7-Solder Bar)
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    25 mOhm @ 12A, 5V
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seeria
    eGaN®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22A (Ta)
  • Polarisatsioon
    Die
  • Muud nimed
    917-EPC2010CENGRTR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    EPC2010CENGR
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3.7nC @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5V @ 3mA
  • FET funktsioon
    N-Channel
  • Laiendatud kirjeldus
    N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
  • Vooluallikas (Vdss)
    -
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200V
  • Mahutite suhe
    -
EPC2001C

EPC2001C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2007C

EPC2007C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2016

EPC2016

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2001

EPC2001

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2016C

EPC2016C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2012

EPC2012

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2007

EPC2007

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2012C

EPC2012C

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PC8

EPC1PC8

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC2015C

EPC2015C

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2014

EPC2014

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PC8CC

EPC1PC8CC

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC2010

EPC2010

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2014C

EPC2014C

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PI8

EPC1PI8

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC1PI8N

EPC1PI8N

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC2015

EPC2015

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2010C

EPC2010C

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi