Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2012
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6083726EPC2012 piltEPC

EPC2012

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.99
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2012
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    +6V, -5V
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-1017-6
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    145pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)
EPC2010C

EPC2010C

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2010CENGR

EPC2010CENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2001

EPC2001

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2015

EPC2015

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2012C

EPC2012C

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2007

EPC2007

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PI8N

EPC1PI8N

Kirjeldus:

Tootjad: ALTERA
Laos
EPC2010

EPC2010

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2014

EPC2014

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PI8

EPC1PI8

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC2001C

EPC2001C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2007C

EPC2007C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC1PC8CC

EPC1PC8CC

Kirjeldus: IC CONFIG DEVICE

Tootjad: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Laos
EPC2016C

EPC2016C

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2014C

EPC2014C

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2018

EPC2018

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2016

EPC2016

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2015C

EPC2015C

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi
Loading...