Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > EPC2101ENG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3779969EPC2101ENG piltEPC

EPC2101ENG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$10.92
30+
$10.101
100+
$9.282
250+
$8.463
500+
$7.917
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2101ENG
  • Tootja / bränd
    EPC
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    EPC2101ENG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 2mA
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Võimsus - maks
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-EPC2101ENG
    EPC2101ENGR_H5
    EPC2101ENGRH5
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    300pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.7nC @ 5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9.5A, 38A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "EPC2101ENG" seotud tooted.
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2103

EPC2103

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2046ENGRT

EPC2046ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2104

EPC2104

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2101

EPC2101

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2100

EPC2100

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2102

EPC2102

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.