Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > EPC2104
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
3711656EPC2104 piltEPC

EPC2104

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$5.615
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2104
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 5.5mA
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 20A, 5V
  • Võimsus - maks
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-1184-2
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    800pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102

EPC2102

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2108

EPC2108

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Tootjad: EPC
Laos
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101

EPC2101

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2105

EPC2105

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2107

EPC2107

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2106

EPC2106

Kirjeldus: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103

EPC2103

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi