Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > EPC2104
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3711656EPC2104 piltEPC

EPC2104

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$5.615
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2104
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 5.5mA
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 20A, 5V
  • Võimsus - maks
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-1184-2
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    800pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102

EPC2102

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2108

EPC2108

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Tootjad: EPC
Laos
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101

EPC2101

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2105

EPC2105

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2107

EPC2107

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2106

EPC2106

Kirjeldus: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2103

EPC2103

Kirjeldus: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Tootjad: EPC
Laos
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi