Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N6480HE3/96
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
56182221N6480HE3/96 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

1N6480HE3/96

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
6000+
$0.129
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N6480HE3/96
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.1N6480HE3/96.pdf
    2.1N6480HE3/96.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    200V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-213AB
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    SUPERECTIFIER®
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N6480

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N6480HE3/96" seotud tooted.
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6482HE3/97

1N6482HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6483-E3/96

1N6483-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N648-1

1N648-1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6482HE3/96

1N6482HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
1N6482-E3/97

1N6482-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.