Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N647UR-1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
57381271N647UR-1 piltMicrosemi Corporation

1N647UR-1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
239+
$4.305
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N647UR-1
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1N647UR-1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    400mA
  • Pinge - jaotus
    DO-213AA
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-213AA (Glass)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Tootja Partii number
    1N647UR-1
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 400V 400mA Surface Mount DO-213AA
  • Dioodide seadistamine
    50nA @ 400V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1V @ 400mA
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    400V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N647UR-1" seotud tooted.
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N648-1

1N648-1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6476US

1N6476US

Kirjeldus: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N6476US

1N6476US

Kirjeldus: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.