Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IRFBG30
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2910177IRFBG30 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBG30

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IRFBG30
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1.IRFBG30.pdf
    2.IRFBG30.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    *IRFBG30
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IRFBG30" seotud tooted.
IRFBF30SPBF

IRFBF30SPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30STRL

IRFBF30STRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFC3006EB

IRFC3006EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3107EB

IRFC3107EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBF30L

IRFBF30L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBG20L

IRFBG20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBL3703

IRFBL3703

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3004EB

IRFC3004EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBG20

IRFBG20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30STRR

IRFBF30STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFC3206EB

IRFC3206EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBL3315

IRFBL3315

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC2604B

IRFC2604B

Kirjeldus: MOSFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3205ZEB

IRFC3205ZEB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3306EB

IRFC3306EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBF30STRLPBF

IRFBF30STRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30S

IRFBF30S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.