Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IRFBG30PBF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1934930IRFBG30PBF piltElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBG30PBF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.32
50+
$1.872
100+
$1.685
500+
$1.31
1000+
$1.086
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IRFBG30PBF
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.IRFBG30PBF.pdf
    2.IRFBG30PBF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    *IRFBG30PBF
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IRFBG30PBF" seotud tooted.
IRFC2604B

IRFC2604B

Kirjeldus: MOSFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFC3004EB

IRFC3004EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3205ZEB

IRFC3205ZEB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3306EB

IRFC3306EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3107EB

IRFC3107EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3206EB

IRFC3206EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFC3710ZEB

IRFC3710ZEB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBL3315

IRFBL3315

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBF30STRLPBF

IRFBF30STRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30STRR

IRFBF30STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30STRL

IRFBF30STRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBG30

IRFBG30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30SPBF

IRFBF30SPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBG20

IRFBG20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFC3006EB

IRFC3006EB

Kirjeldus: MOSFET N-CH WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBG20L

IRFBG20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBL3703

IRFBL3703

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBF30S

IRFBF30S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.