Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1013CX-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5907559SI1013CX-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1013CX-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.64
10+
$0.458
100+
$0.27
500+
$0.153
1000+
$0.117
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1013CX-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1013CX-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    760 mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    190mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    SC-89, SOT-490
  • Muud nimed
    SI1013CX-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    45pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    450mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1013CX-T1-GE3" seotud tooted.
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1012-TP

SI1012-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.