Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1013X-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
231675SI1013X-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1013X-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.165
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1013X-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1013X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    450mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (max)
    ±6V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-89-3
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    250mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-89, SOT-490
  • Muud nimed
    SI1013X-T1-GE3TR
    SI1013XT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    350mA (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1013X-T1-GE3" seotud tooted.
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1015-C-GM2

SI1015-C-GM2

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1015-C-GM2R

SI1015-C-GM2R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.