Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1056X-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6080889SI1056X-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1056X-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1056X-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1056X-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-89-6
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    236mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Muud nimed
    SI1056X-T1-E3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    400pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1056X-T1-E3" seotud tooted.
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V SC-89

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V SC89

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

Kirjeldus: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1062-A-GM

SI1062-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.