Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1062X-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
71727SI1062X-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1062X-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.092
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1062X-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V SC-89
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1062X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-89-3
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    220mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-89, SOT-490
  • Muud nimed
    SI1062X-T1-GE3TR
    SI1062XT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.7nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 220mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1062X-T1-GE3" seotud tooted.
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1063-A-GM

SI1063-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1062-A-GM

SI1062-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V SC89

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.