Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2307CDS-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2324426

SI2307CDS-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.164
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2307CDS-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2307CDS-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    88 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2307CDS-T1-E3-ND
    SI2307CDS-T1-E3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    340pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2307CDS-T1-E3" seotud tooted.
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2305B-TP

SI2305B-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2306-TP

SI2306-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.