Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2308BDS-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
286438

SI2308BDS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.60
10+
$0.506
100+
$0.379
500+
$0.278
1000+
$0.215
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2308BDS-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2308BDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    156 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2308BDS-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    190pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2308BDS-T1-GE3" seotud tooted.
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2306-TP

SI2306-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.