Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2335DS-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4066106

SI2335DS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI2335DS-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI2335DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (max)

±8V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

SOT-23-3 (TO-236)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

51 mOhm @ 4A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

750mW (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1225pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

1.8V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

12V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI2335DS-T1-GE3" seotud tooted.

SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2333-TP

SI2333-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.