Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2338DS-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4042259

SI2338DS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.205
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2338DS-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2338DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2338DS-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    424pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2338DS-T1-GE3" seotud tooted.
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.